Уважаемые клиенты! Вы в новой версии сайта. Для продолжения работы с в личном кабинете просим пройти регистрацию заново.

Для офиса

Канцтовары

Бумага и бумажные изделия

Пишущие принадлежности

Папки и системы архивации

Демооборудование и презентация

Сумки, чемоданы, кожгалантерея

Продукты питания

Пищевая упаковка и одноразовая посуда

Посуда стеклянная и столовая

Хозтовары, гигиена, химия

Средства пожарной безопасности

Рабочая спецодежда и СИЗ

Упаковка и маркировка, тара для хранения

Мебель

Интерьер

Текстиль

Картриджи

Компьютеры и периферия

Бытовая техника

Офисная техника

Средства коммуникации

Электроника

СКУД

Автотовары

Инструменты и электрика

Товары для творчества

Товары для школы

Товары для торговли

Медицинские товары

Товары для дачи и сада

Спорт и отдых, туризм

Подарки и сувениры

Новогодние товары

Разное

По видам бизнеса

SSD накопитель SAMSUNG 990 EVO Plus 2Tb PCI-E Gen4 x4( MZ-V9S2T0BW)

Артикул: 114524

Характеристики

Модель товара MZ-V9S2T0BW
Ширина 35.000
Высота 30.000
Глубина 35.000
Количество штук в упаковке 100
Схема вложения 1/100
Торговая группа Внутренние SSD накопители
Цвет чёрный
Гарантийный срок 12 мсц
Объем памяти 2 ТБ
Потребляемая мощность 4.6 вт
Интерфейс PCI-E 4.0
Форм-фактор M.2
Объем буфера 999999999 mb
Тип памяти TLC
Страна происхождения Южная Корея
Поддержка NVMe да
Максимальная скорость случайного чтения, IOPS 1000000
Максимальная скорость случайной записи, IOPS 1350000
Для геймеров да
Наработка на отказ 1500000
Длина, мм 80.15
Ширина, мм 22
Вес, кг не будет данных
Вес, г 9
Размер, мм не будет данных
Толщина, мм 2.38
Контроллер Samsung Piccolo S4LY022
Ресурс работы (TBW) 1200 ТБ
DRAM буфер нет
Еще

Доставка курьером

1 день

Самовывоз

0 ₽

Участвует в акции 100 шт в коробке
28 080.00 ₽/шт
Сумма 28 080.00 ₽
Кешбек 0.00 ₽
Задать вопрос
Модель товара MZ-V9S2T0BW
Ширина 35.000
Высота 30.000
Глубина 35.000
Количество штук в упаковке 100
Схема вложения 1/100
Торговая группа Внутренние SSD накопители
Цвет чёрный
Гарантийный срок 12 мсц
Объем памяти 2 ТБ
Потребляемая мощность 4.6 вт
Интерфейс PCI-E 4.0
Форм-фактор M.2
Объем буфера 999999999 mb
Тип памяти TLC
Страна происхождения Южная Корея
Поддержка NVMe да
Максимальная скорость случайного чтения, IOPS 1000000
Максимальная скорость случайной записи, IOPS 1350000
Для геймеров да
Наработка на отказ 1500000
Длина, мм 80.15
Ширина, мм 22
Вес, кг не будет данных
Вес, г 9
Размер, мм не будет данных
Толщина, мм 2.38
Контроллер Samsung Piccolo S4LY022
Ресурс работы (TBW) 1200 ТБ
DRAM буфер нет
Сертификаты товара...